超 400 层:三星展示业界首款 V10 BV-NAND,存储密度提高约 58%
三星公司今天(8 月 5 日)发布博文,宣布其在 2026 年未来存储与内存大会(FMS)上,概述了面向人工智能基础设施的 3D 内存路线图,重点介绍了 DRAM、NAND 闪存、企业级存储、先进封装和半导体制造方面的最新进展。...
最新 8 月 5 日消息,作为三星电子 FMS 2026 峰会活动的一部分,该企业在官网上公布了其新一代可扩展内存解决方案 CMM-D MD310。

MD310 是一款采用 PCIe 6.0 界面和 CXL 3.2 协议的 DRAM 基 CXL 内存模组。其采用 EDSFF E3.S 2T 外形规格,基于 DDR5,容量 256GB,速率可达 7.2Gbps。
三星电子表示,该内存模组可为系统注入额外 72GB/s 内存带宽, 用于加速人工智能、数据分析等数据密集型工作负载。其开放的 PCIe / CXL 架构使得多个系统能够动态共享和分配池化内存,提升 DRAM 资源利用率,这在内存供应受限的当下相当重要。

三星电子还简要介绍了 BM1773,这是世界首款 EDSFF E3.S 外形规格的 256TB QLC 固态硬盘。
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