超 400 层:三星展示业界首款 V10 BV-NAND,存储密度提高约 58%
三星公司今天(8 月 5 日)发布博文,宣布其在 2026 年未来存储与内存大会(FMS)上,概述了面向人工智能基础设施的 3D 内存路线图,重点介绍了 DRAM、NAND 闪存、企业级存储、先进封装和半导体制造方面的最新进展。...
最新 8 月 5 日消息,非营利组织 NVM Express 当地时间 4 日在 FMS 2026 上发布全部 11 项年度规范集更新。NVMe 基本规范来到 2.4 版本,一系列命令集规范、传输规范、管理接口规范、启动规范均得到更新。

NVM Express 总裁 Amber Huffman 表示:
最新的 NVMe 规范引入了基础性技术,既能在后量子时代保障安全性,又能简化设备管理并提升可持续性,从而使 NVMe 存储在企业、云、AI 和客户端环境中具备面向未来的适应性。
随着安全要求和运营效率需求的不断演变,NVM Express 将继续致力于推出能够提升数据保护和存储效率的创新技术。
最新了解到,本次更新增强了 NVMe 技术栈的后量子密码学安全性,通过虚拟化简化了虚拟机迁移,支持主控端的速率控制,提供电压遥测监控,新增恢复出厂默认设置功能。
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