最新 10 月 29 日消息，湖南泰坦未来科技有限公司本月发布新闻稿，宣布推出国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底，瞄准 AI 芯片与先进封装的散热瓶颈。

最新查询公开资料，12 英寸多晶碳化硅（SiC）衬底，是一种直径约 300 毫米、由许多微小碳化硅晶粒构成的大尺寸陶瓷基板。该基板主要作为先进封装和高温半导体工艺中的高导热支撑、散热基底，帮助 AI 芯片等高功率器件把热量快速导出。

该公司在新闻稿中指出当前半导体碳化硅赛道，市场目光大多聚焦单晶 SiC 衬底，而多晶碳化硅配套材料属于行业蓝海与隐形刚需。

高端多晶材料长期受制于人，成为制约国内产线扩产的关键痛点，大尺寸致密化、高纯度制备、热性能匹配是亟待攻克的核心技术瓶颈。

据介绍，该产品由团队历经两年多全流程原创攻关制成，期间曾损耗两台气相沉积炉，并攻克材料致密化、大尺寸成型、应力调控等技术难题。

在关键性能上，该衬底沉积速度达每小时 60 微米，明显高于国内外同行 10 至 20 微米的水平；最低电阻率可小于 1 毫欧 · 厘米，优于国外同行约 10 毫欧 · 厘米的水平；孔洞缺陷少于每平方厘米 0.1 个，有助于提升芯片良率。

该产品目前已通过台积电相关认证测试，并向三星送样，同时与谷歌、英伟达等企业展开合作。项目正处于样品验证向小批量试产过渡阶段，预计 2027 年后逐步规模化供货。

该公司于 2026 年投资新建高纯高致密碳化硅部件及多晶衬底产业基地项目，全面投产后，可年产 20 万片半导体用高性能碳化硅、碳化钽涂层产品。

官方介绍称本次推出的国内首创 12 英寸 Poly-SiC 多晶衬底，实现多项关键指标突破：依托气相沉积、超临界多相法 TaC 涂层等自研核心技术，产品实现≥300W/(m・K) 超高热导率，已远超国际先进半导体材料厂商平均水平，同时实现零长裂纹、微裂纹，极低孔洞缺陷，具备优异的热学性能与结构稳定性，彻底打破大尺寸成型与高纯度制备国外技术垄断。

产品面向两大核心应用场景：

• AI 芯片先进封装散热基板：依托 Poly-SiC 卓越的导热系数 (传统 AIN / Cu 方案的 2-3 倍) 优异的适配性，形成高效导热通道，完美解决散热问题，我司研发的多晶碳化硅复合衬底比行业现有技术节约近 20% 的成本。

• 复合衬底与刻蚀核心部件：单晶碳化硅衬底国内窗口指导限制，通过复合衬底进行大规模量产及降本。刻蚀环部件将客户加工良率提升 60%。

参考

• 亮相第六届碳基新材料产业创新发展大会｜国内首款 12 英寸 Poly‑SiC 多晶衬底引行业关注

• 长沙造出国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底，破解大功率芯片散热痛点｜向新图强