三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存，2026 年推出 HBM4E

最新 9 月 5 日消息，据《韩国先驱报》报道，三星电子 DS 部门存储器业务总裁兼总经理李祯培昨日在台湾地区出席业界活动时展示了三星未来内存产品路线图。

根据 DDR 内存路线图，三星计划在 2024 年内推出 1c nm 制程 DDR 内存，该节点可提供 32Gb 颗粒容量产品；而在 2026 年三星将推出其最后一代 10nm 级工艺 1d nm，仍最大提供 32Gb 容量。

来到 2027 年，三星将突入 10nm 以下级 DRAM 制程节点，发布 0a nm 工艺 DDR 内存产品，同时该节点的内存单颗粒容量也将来到更高的 48Gb，即 6GB。

此外对于 LPDDR 内存，李祯培介绍了 LPDDR5-PIM（最新注：内存内处理）产品。这一整合计算单元的存储介质可提升 70% 系统能效和最多 8 倍性能。

而在 HBM 内存路线图上，三星电子明确其下下代产品 HBM4E 将于 2026 年推出，与 SK 海力士的进度相当。