国内氮化镓半导体第一股诞生：英诺赛科成功上市，全球市占率 42.4% 排名第一

最新 12 月 31 日消息，国内氮化镓功率半导体企业英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）12 月 30 日在香港联合交易所主板挂牌上市，标志着国内氮化镓半导体第一股诞生。

氮化镓（GaN）是氮和镓的化合物，是一种 III 族和 V 族的直接能隙（direct bandgap）的半导体，自 1990 年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为 3.4 电子伏特，可以用在高功率、高速的光电器件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405 nm）激光。

如同其他 III 族元素的氮化物，氮化镓对电离辐射的敏感性较低，这使得它适合用于人造卫星的太阳能电池阵列。军事的和空间的应用也可能受益，因为氮化镓设备在辐射环境中显示出稳定性。相比砷化镓（GaAs）晶体管，氮化镓晶体管可以在高得多的温度和电压工作运行，因此它们是理想的微波频率的功率放大器。

英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业，拥有“全球最大的氮化镓功率半导体生产基地”，产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，可应用于消费与家电、数据中心、汽车电子、新能源与工业等领域。

当前，英诺赛科已与 OPPO、vivo、小米等手机厂商，安克、绿联等电商，速腾、禾赛等新能源汽车领域厂商，以及家电、储能行业的头部企业建立了合作关系，其产品 InnoGaN 也在手机 OVP、快充、车载激光雷达、车载 PD、家电马达驱动、工业电机驱动、数据中心服务器电源、BMS 电池管理、储能双向变换器、光伏 MPPT 等产品中大批量量产。

2023 年，以折算氮化镓分立器件出货量计算，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率达 42.4%。截至 2024 年 6 月，累计出货量超过 8.5 亿颗。

英诺赛科此番战略配售，吸引了包括意法半导体、江苏国企混改基金、东方创联以及苏州高端装备在内的 4 名基石投资者，合共认购了 1 亿美元（最新备注：当前约 7.31 亿元人民币）的发售股份，其中意法半导体认购半数。

2023 年，英诺赛科实现收入约 5.93 亿元人民币，相比 2021 年增长了 769%。据其招股书披露，本次 60% 募资资金将用于扩大 8 英寸氮化镓晶圆产能，从截至 2024 年 6 月 30 日的每月 1.25 万片晶圆增加至未来 5 年的每月 7 万片晶圆。

2023 年，英诺赛科的氮化镓分立器件及集成电路收入约为 1.92 亿元，复合年增长率为 163%；氮化镓晶圆收入约为 2.09 亿，复合年增长率为 130.1%。此外，他们于 2023 年开始销售氮化镓模组，该年度录得收入约为 1.9 亿元。