最新10月11日消息，十年磨一剑的长鑫科技现在已经做到了世界第四大DRAM芯片生产商，前不久还宣布了G5代内存平台，各项指标很亮眼。

G5内存的技术到底有多强，我们之前做了专门的解析，简单来说就是已经追上了三星、SK海力士、美光三巨头当前量产的内存产品，总体技术上谦虚一点来说还落后一代，不客气的话落后半代水平。

更重要的是，长鑫能在不使用EUV光刻机的情况下推出G5代内存技术，相比之前生产了多年G3、G4代内存的情况而言，意味着他们的技术迭代也进入了正轨，不像之前那样三五年才能升级一代。

下一代内存技术平台G6会是什么样呢?X上的技术大佬Frederick Chen做了个预测，里面有详细的技术指标。

这里面涉及大量专业技术名词，而且这些也都是预测值，大家也没必要搞懂每个pitch间距的意义了，只说下能看到出来的方向吧。

首先cell面积，G6预计会从G5的0.00128205um2继续缩减到0.000896um2，面积缩减了30%，缩减幅度比G3到G4的36%略低，不过也差不多了，毕竟越往后越难缩减。

cell面积减少30%不代表密度就能提升42%以上，但这也是个关键指标了。

生产工艺上，能看出来的是G6依然不会使用EUV光刻，这也是没啥疑问的，会继续打磨DUV（193i代表193nm DUV浸没式光刻机）+SAQP（自对准四重图案化）这个路线，部分层则是使用SADP（自对准双重图案化）。

但大佬的预测中也出现了不同，那就是Bonded键合工艺，意味着G6上也会利用键合技术继续提升芯片密度，这也是迟早的事。

总体来看，在G5把DUV+SAQP这套技术组合趟出路之后，长鑫科技会继续打磨不依赖EUV光刻工艺的技术来生产下一代内存，还会再加上键合技术，一步步逼近DUV工艺的极限，这套组合以前虽然也有Intel等公司实践，但他们没做到这么深，因为很快就转向EUV了。

长鑫科技及国内其他公司会继续深度打磨DUV，一方面是没办法，一方面也得感谢这一年来芯片大涨价，尤其是内存价格暴涨，否则SADQ工艺的成本很难摊薄下来。

G6工艺预计在2028年问世，它很有可能是6F2内存芯片结构的最后一代产品了，再往后的G7工艺预计在2030年之后问世，有可能首发4F2内存芯片结构。

4F2结构的内存芯片预计也不会超过3代产品，最后迟早都会转向3DRAM，也就是3D内存，长鑫科技也很早在开发3D内存了，层数可以堆栈64层以上。

反正在4F2及3D内存等新一代技术上，长鑫科技也追赶上来了，尽管可能还有所落后，但不像之前那样落后别人10年、3代产品以上，现在水平差距也就是在1代之间，新技术有可能跟三巨头同一时期量产，搞不好都有可能首发某些新技术。

毕竟长鑫扩产、提升技术的决心是迫切的，三巨头现在最关心的还是利润，对建厂扩产并不是真心实意，至少2030年之前投产的新厂不会多。