最新9月28日消息，韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。多位韩国专家判断，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，但依托在通用DRAM上积累的生产经验，追赶节奏明显加快，韩国方面已难言高枕无忧。

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，差距已缩小至2年左右，原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。白瑞仁表示，若中国以不计成本的姿态进攻，差距还可能再缩短1年。

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，中韩相差1至2代；但把量产良率、堆叠与热管理、客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，实际生态差距为4至5年。他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，而在最先进HBM上追平韩国，最早也要等到2032年至2034年之后。

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，认为两者之间存在约6年的时差。

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。崔正东称，单看单元微缩约差2年，算上良率、成本、长期可靠性与客户认证约为3年。

金容锡提醒，应先对DDR4、DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，就能把这些收益再投入先进产品研发。