行业竞争压力加剧 铠侠另辟蹊径:推动NAND替代部分DRAM
最新9月4日消息,铠侠近日公布了一项战略规划,通过增强型NAND闪存技术替代部分DRAM功能,以深化与美国主要科技公司的合作,并应对竞争对手带来的市场压力。
铠侠存储技术负责人松寺胜树(Katsuki Matsudera)表示:“闪存需求正以前所未有的速度增长。”公司同时展出了专为AI工作负载设计的CXL(Compute Express Link)模块,该产品可大幅提升NAND闪存的数据处理速度,目前正处于客户评估阶段。
AI服务器通常配备多种内存类型:DRAM用于临时数据存储,读取速度优于NAND闪存,并与CPU协同完成计算。
然而,DRAM容量扩展困难,难以满足AI需求的快速增长,且成本远高于用于长期存储的NAND闪存,这在一定程度上制约了AI数据中心的普及。
铠侠的CXL模块旨在弥补DRAM的不足。该模块将高速NAND闪存与专用控制器结合,可将数据读取延迟降至传统NAND产品的十分之一以下,使性能接近DRAM水平。
据铠侠介绍,在系统中以CXL模块替换部分DRAM,可使内存容量翻倍,整体性能提升约30%。
此外,铠侠还展示了面向AI场景的新型固态硬盘(SSD)产品,计划于2028年开始提供读写性能增强版的样品。该SSD将连接英伟达GPU,与传统的堆叠式DRAM高带宽内存(HBM)形成互补,满足AI推理等新兴应用需求。
根据美国研究机构Gartner预测,全球内存市场规模到2026年将达8373亿美元,较上年增长3.8倍,AI驱动的需求正在快速扩容整个市场。
当前,铠侠主要专注于NAND闪存,而三星、SK海力士和美光等竞争对手同时覆盖NAND和DRAM业务,产品线更为多元。通过推出DRAM替代方案,铠侠希望在NAND之外抢占部分DRAM需求,以稳定盈利结构,降低市场波动带来的风险。

《行业竞争压力加剧 铠侠另辟蹊径:推动NAND替代部分DRAM》转载自互联网,如有侵权,联系我们删除,QQ:369-8522。
相关图文
-
美光扔出王炸!DDR6带宽暴涨2倍 400层NAND量产
快科技10月22日消息,据报道,美光近日在2026年OCP峰会上公布下一代存储技术路线图,覆盖DDR6、LPDDR6、vHBM及G11 NAND四大方向,多项指标较上代实现翻倍级提升。DDR6的带宽预计达到DDR5的两... -
内存越堆越烫!SK海力士把散热件塞进夹层:热阻降低30%
快科技10月22日消息,SK海力士的下一代高带宽内存(HBM)定名iHBM,思路是把散热结构直接做进内存封装内部,不再只靠外置的散热器和冷板把热带走。HBM难散热是结构决定的,多层DRAM(动态随机... -
DIY寒冬将至!2027年PC内存更难买也更贵:产能全被AI吃了
快科技10月22日消息,据集邦咨询最新研究报告,2027年PC内存供应可能进一步收缩,原因是存储厂商持续将产能向AI加速器所需的高带宽存储器及数据中心其他存储产品倾斜。这或将推高面向消费者的... -
突发!美光桃园工厂刚刚宣布今起罢工24小时:内存恐再涨价
快科技10月22日消息,据报道,美光在中国台湾地区的劳资协商出现分化:台中工会昨日与公司达成协议并撤回调解,桃园工会则因利润分享方案未获具体回应,于今日上午9点启动24小时罢工。与台中... -
你还在纠结32GB还是64GB内存:单条1TB DDR6已经公布!
快科技10月22日消息,美光在2026年OCP峰会上公布了下一代存储技术路线图,涉及DDR6、LPDDR6、HBM与G11 NAND四条产品线。其中DDR6被定位为面向高可靠性服务器市场,美光称其带宽将达到DDR5的两...












