最新9月4日消息，近日，阿斯麦核心供应商蔡司集团半导体业务负责人公开发声表示，中国在先进半导体制造设备领域的技术水平仍落后约15年。

罗蒙德声称，中国想要自主研发出极紫外EUV光刻机，还需要15年左右的时间，这是一个符合当前行业规律的合理假设。

但他也同时承认，半导体前沿技术的实际研发进展很难通过公开数据量化，外界目前很难准确判断中国相关技术团队的真实研发水平到底走到了哪一步。

当前美国政府出台的相关管制政策，全面禁止阿斯麦向中国市场出口EUV光刻机，后续又进一步收紧了部分技术要求相对较低的浸润式DUV设备的对华出口限制，持续给中国半导体制造的升级路径设置门槛。

瑞银研究团队近期针对中国在光源、激光子系统等光刻核心领域的大量专利申请做了梳理分析后指出，阿斯麦自身从2004年对应的技术起步阶段，到最终实现EUV设备的大规模商业化生产，前后用了大约15年时间才走完整个技术攻关链路。

不过瑞银同时也认为，中国在DUV光刻领域的追赶速度要快于外界预期，浸润式DUV虽然技术层级不及EUV先进，但它依然是当前成熟乃至先进制程芯片制造环节不可或缺的核心生产设备。

针对这类唱衰中国光刻技术进展的公开言论，有国内半导体供应链资深人士表态，单纯纠结这类国外从业者的发言数值完全没有实际意义，绝对不能低估中国顶尖工程师团队的创造力和攻坚的投入力度。

此前巴黎第一大学教授埃马纽埃尔孔博就曾公开发表署名研究文章指出，美欧联合出台对华光刻机出口禁令的操作，到最后反而会让美国和欧洲自己成为最大的输家，这套管制手段根本达不到他们最初想要长期遏制中国半导体产业发展的预设目的。

过去几十年全球产业分工的经验已经反复证明，只要外部技术封锁的大幕一拉开，原本需要花二三十年才能走完的国产化技术攻关路程，往往就能在本土团队的集中攻坚下大幅缩短周期，很多被预判十年以上才能落地的技术，说不定两三年之后就会突然拿出超出所有人预期的成果。