8月25日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”；证券代码688012）再迎重要里程碑 —— 公司先进薄膜设备累计出货突破500个反应台，产品涵盖低压化学气相沉积（LPCVD）设备、金属薄膜沉积（MDP）设备、介质薄膜沉积（DDP）设备等多款核心机型。此次突破，标志着中微公司在高端薄膜沉积设备领域已实现规模化商用，产品技术、性能稳定性与量产交付能力均获得客户广泛认可，薄膜设备业务已成长为公司又一核心增长板块，公司平台化战略正全面迈入规模化发展的新阶段。

庆祝仪式现场

作为半导体芯片制造的关键设备，薄膜沉积设备是先进逻辑、先进存储、特色器件及先进封装制程中不可或缺的核心装备。依托“技术创新、产品的差异化与知识产权保护”，中微公司已成功研发并实现商业化落地多款高性能薄膜沉积产品，构建起覆盖钨薄膜、金属栅、金属硅化物等多品类的先进薄膜设备组合，全面适配先进芯片制程的严苛工艺需求。

在钨金属沉积这一关键细分领域，公司自主研发的化学气相钨沉积设备CVD-W、高深宽比结构中钨沉积设备HAR-W以及原子层钨沉积设备ALD-W，可支持存储器件中全流程金属钨沉积的工艺应用。该系列设备已通过多家核心存储客户现场验证，满足先进存储金属互连、高深宽比填充、三维存储字线制程等严苛工艺要求，持续获得客户量产订单。同时，该系列产品同样适配先进逻辑器件中多道金属钨互连工序，已在领先逻辑器件制造客户实现批量交付。此外，该系列设备也已通过了在特殊器件中金属钨沉积的工艺验证。凭借优异综合性能，金属钨沉积系列设备实现了先进存储、先进逻辑、特色器件三大领域的全覆盖，市场渗透率持续提升。

面向先进逻辑制程迭代需求，公司推出Preforma Uniflash®金属栅系列产品，包含ALD氮化钛、ALD钛铝、ALD氮化钽三款核心设备，已完成多家头部先进逻辑芯片制造客户的设备验证。该系列设备不仅完全满足先进逻辑工艺性能标准，在薄膜均一性、污染物管控、量产效率等关键指标上均达到世界先进水平，多台设备已顺利付运客户端并完成现场验证、稳定量产导入。其中ALD氮化钛设备应用场景广泛，可适配先进逻辑、先进存储、特色器件以及先进封装等关键制程。

针对先进制程高选择比、低电阻金属-半导体接触层的行业痛点，中微公司推出了Preforma Uniflash®金属硅化物集成系统。产品精准适配先进逻辑源漏接触层、背部供电接触层以及三维存储器件源漏接触层等核心场景，可在小尺寸、超高深宽比的复杂微结构中实现高质量、高均匀性薄膜填充，填补了国内高端金属硅化物薄膜设备市场空白。

如今，中微公司已开发出54种高端半导体设备，包括26种高能和低能等离子体刻蚀机设备，24种各类薄膜设备、化学机械抛光设备和部分量检测设备。刻蚀和薄膜设备的加工的精度已经达到了原子级水平。截至2026年6月底，公司累计已有超过8800个反应台在国内外220余条生产线实现量产。自2012年至今，中微公司已连续14年保持平均年销售35%以上的增长，人均年销售额达到了450万元，劳动生产率远高于国际领先的设备公司。目前，公司的设备产品已覆盖了超过30%的前道集成电路设备产品，未来五年，公司将通过自主开发与外延并购，覆盖60%以上的集成电路高端设备市场和70%以上的先进封装设备市场，成为全球领先的高端设备平台型公司。

展望未来，中微公司将继续践行“五个十大”的企业文化，深入推进三维立体生长战略，持续提升综合竞争力，在技术进步、业务发展、业绩增长、规范治理等方面不断提高水平，实现高速、稳定、健康和安全的高质量发展，在规模和竞争力上成为国际领先的半导体设备公司。