良率99% 台积电5.5倍光罩CoWoS封装技术量产:能塞12组HBM4
快科技8月11日消息,除了先进工艺之外,台积电近年来在先进封装上也实现了领先,其CoWoS封装技术赢得了大量AI芯片订单,该公司日前宣布5.5倍光罩尺寸的CoWoS封装技术也量产了。台积电负责先进...
最新8月11日消息,除了先进工艺之外,台积电近年来在先进封装上也实现了领先,其CoWoS封装技术赢得了大量AI芯片订单,该公司日前宣布5.5倍光罩尺寸的CoWoS封装技术也量产了。
台积电负责先进封装业务的副总裁何军今天表示,公司5.5倍光罩CoWoS封装技术正式量产,在大多数客户的AI芯片上良率稳定超过98%,部分甚至达到了99%。
何军还强调台积电每年都会维持推出新技术的节奏,预计2029年将实现14倍光罩尺寸的CoWoS封装技术量产。

CoWoS是台积电用于AI芯片的2.5D封装技术,2016年首次推出的是1.6倍光罩尺寸,这个倍数是相对于EUV芯片而言的,现有NA 0.33技术的EUV光刻机单个芯片最大面积在858mm2,再大就做不出来了,因此需要CoWoS这样的技术将多个芯片整合到一起。
从最初的1.6倍到目前的3.3倍,最新量产的则是5.5倍光罩尺寸,封装面积大约在4700mm2,台积电之前公布的数据显示,该技术可以整合多达9种芯片,HBM4显存可以堆栈12组之多,堆栈的数量越多,HBM总容量及带宽自然就更高。

再往后台积电还会发展9倍光罩尺寸及14倍光罩尺寸,其中14倍下的封装面积就要达到12000mm2了,差不多是整个12英寸晶圆的面积,能塞入的HBM4/4e至少达到16组,系统功耗能达到2-3千瓦,AI芯片的性能自然更强。
不过封装面积越大,技术挑战也同样增大,现有的树脂基板承压能力不够,高热量下还容易翘曲,后续也会转向玻璃基板,类似的技术升级还有很多,也不是那么容易就过渡的。
《良率99% 台积电5.5倍光罩CoWoS封装技术量产:能塞12组HBM4》转载自互联网,如有侵权,联系我们删除,QQ:369-8522。
相关图文
-
美光扔出王炸!DDR6带宽暴涨2倍 400层NAND量产
快科技10月22日消息,据报道,美光近日在2026年OCP峰会上公布下一代存储技术路线图,覆盖DDR6、LPDDR6、vHBM及G11 NAND四大方向,多项指标较上代实现翻倍级提升。DDR6的带宽预计达到DDR5的两... -
内存越堆越烫!SK海力士把散热件塞进夹层:热阻降低30%
快科技10月22日消息,SK海力士的下一代高带宽内存(HBM)定名iHBM,思路是把散热结构直接做进内存封装内部,不再只靠外置的散热器和冷板把热带走。HBM难散热是结构决定的,多层DRAM(动态随机... -
DIY寒冬将至!2027年PC内存更难买也更贵:产能全被AI吃了
快科技10月22日消息,据集邦咨询最新研究报告,2027年PC内存供应可能进一步收缩,原因是存储厂商持续将产能向AI加速器所需的高带宽存储器及数据中心其他存储产品倾斜。这或将推高面向消费者的... -
突发!美光桃园工厂刚刚宣布今起罢工24小时:内存恐再涨价
快科技10月22日消息,据报道,美光在中国台湾地区的劳资协商出现分化:台中工会昨日与公司达成协议并撤回调解,桃园工会则因利润分享方案未获具体回应,于今日上午9点启动24小时罢工。与台中... -
你还在纠结32GB还是64GB内存:单条1TB DDR6已经公布!
快科技10月22日消息,美光在2026年OCP峰会上公布了下一代存储技术路线图,涉及DDR6、LPDDR6、HBM与G11 NAND四条产品线。其中DDR6被定位为面向高可靠性服务器市场,美光称其带宽将达到DDR5的两...












