最新8月8日消息，近日，SK海力士董事会正式通过大额建厂投资方案，合计投入约54万亿韩元（约2567亿元人民币），分别建设龙仁Y2 DRAM晶圆厂、清州M17 NAND闪存晶圆厂，以此匹配AI产业持续攀升的存储芯片需求。

龙仁Y2项目投资额35.2万亿韩元（约1673亿元人民币），坐落于龙仁大型半导体产业集群，是园区规划四座工厂里的第二座，总建筑面积约113万平方米，定位为高端DRAM生产基地，主打HBM等新一代高带宽内存产品。

项目计划2027年7月开工，2029年6月启用首个无尘室，全部分阶段投资至2031年10月，资金覆盖厂房、员工配套楼宇、综合研发中心、水电变电等全套配套基建；当前园区一期水、电基础设施已完成99%建设。

SK海力士已将整片龙仁集群完工时间从2045年提前至2033年，Y2是实现该目标的核心环节。

清州M17闪存工厂投资19.1万亿韩元（约908亿元人民币），建筑面积约68万平方米，依托清州现有成熟NAND产线与完备水电配套，建设进度更快。

工厂2027年2月动工，2028年12月投用首间无尘室，投资周期至2031年4月，聚焦企业级SSD、AI推理KV缓存等场景所需NAND闪存产能扩充，可与园区现有M11、M12、M15产线协同生产。

行业机构Omdia预测，2025至2030年DRAM、NAND市场年均需求增速可达19%，SK海力士表示存储器已成为AI算力核心基础设施，行业进入结构性增长周期，单纯技术优势不足以抢占市场，稳定交付足量产能才是核心竞争力。