最新7月28日消息，据媒体报道，昨日，长鑫科技正式登陆上交所科创板，以8.66元/股的发行价开盘即报49.50元。

截至收盘，收涨465.82%，报49.00元/股，总市值达到3.28万亿元。

目前全球DRAM市场长期由三星、SK海力士和美光三家主导，长鑫存储目前市占率约10%，是唯一具备规模化竞争力的中国厂商。

亚洲最大的投资银行之一野村控股分析师给予长鑫买入评级，目标价116元，较IPO发行价8.66元潜在涨幅达1239%。

而在人工智能基础设施投资担忧升温及长鑫科技强势上市等多重因素影响下，全球存储芯片板块周一遭遇大幅抛售。

其中SK海力士美国存托凭证（ADR）上市不足一个月便跌破发行价，而美光科技、闪迪等存储芯片股同步走低。

本周一，SK海力士ADR一度下跌10%，最低触及139.01美元，跌破7月9日IPO时149美元的发行价，最终收报143.02美元，较发行价低约4%。此次IPO募资规模高达265亿美元，创下今年全球最大IPO之一。

与此同时，费城半导体指数延续近期跌势，收于5月19日以来最低水平，显示市场持续撤离此前涨幅较大的AI半导体板块。

对此，分析人士认为，本轮调整主要受到AI基础设施投资担忧加剧影响。

此前有媒体报道称，英伟达正洽谈总规模超过7500亿美元的AI基础设施项目，并计划为OpenAI相关数据中心项目提供融资支持，引发市场对AI产业链资本开支持续扩大的担忧。

受此影响，英伟达信用违约掉期价格周一创下有记录以来最大单日涨幅，投资者风险偏好明显降温。

此外，SK海力士还宣布将与英伟达合作，在韩国建设总规模超过2吉瓦的AI数据中心，相当于可满足约150万户家庭的用电需求。

其中由SK Telecom建设的首座AI工厂预计将于明年投入运营，但这一利好消息未能提振股价。

与此同时，另一家国内存储芯片厂商长江存储也预计将于今年晚些时候启动IPO，其主营NAND Flash闪存产品，将与美光、闪迪及SK海力士展开竞争。

受市场情绪拖累，美光周一收跌2.25%，闪迪跌幅则达到11.02%。