SSD硬盘不再怕写死 三星新技术提升TLC闪存寿命43%
快科技7月16日消息,SSD硬盘使用的NAND闪存存在寿命问题,尤其是在TLC、QLC大行其道之后,三星最新公布了一项新技术,有望将TLC寿命大幅提升43%。NAND闪存的基本原理决定了它存在写入寿命,反...
最新7月15日消息,据报道,SK海力士已正式启动面向英伟达的12层HBM4量产出货,产品进入产能爬坡阶段。
这是HBM4在全球首次完成所有质量认证,并面向英伟达下一代AI平台Vera Rubin供货。与此前供应的样品不同,此次交付的是量产级产品。

HBM4相较前一代HBM3E实现了代际跃升。数据传输通道从1024条翻倍至2048条,带宽扩大一倍。运行速度超过10Gbps,大幅超越JEDEC标准规定的8Gbps。
单颗12层HBM4每秒可处理超过2TB数据。能效较上一代提升40%以上,AI服务性能最高可提升69%。
Counterpoint Research预计,SK海力士2026年将控制全球约54%的HBM4市场份额,三星与美光将处于落后局面。

英伟达Vera Rubin GPU预计最高可搭载288GB HBM4显存,AMD Instinct MI455有望达到432GB。SK海力士将从今年9月起进一步扩大HBM4出货规模。
SK海力士产能扩张也在同步推进,其龙仁半导体园区Y1晶圆厂已开始采购先进DRAM制造设备。原定明年5月投产的首座洁净室已提前至明年2月试产,3至4月完成设备安装。
该园区初期月产能约2万片晶圆,目标生产第六代10纳米级1c DRAM,用于AI服务器DDR、LPDDR及下一代HBM4E。

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