SSD硬盘不再怕写死 三星新技术提升TLC闪存寿命43%
快科技7月16日消息,SSD硬盘使用的NAND闪存存在寿命问题,尤其是在TLC、QLC大行其道之后,三星最新公布了一项新技术,有望将TLC寿命大幅提升43%。NAND闪存的基本原理决定了它存在写入寿命,反...
最新7月3日消息,据媒体报道,澜起科技发布公告表示,作为MDB芯片国际标准的牵头制定者,公司引领相关技术的创新并保持行业领先地位。
在2025年1月,澜起科技推出了第二子代MRCD/MDB芯片,在最近的两个季度实现出货量显著提升,产品凭借优异的性能和出色的稳定性获得全球主要内存模组厂商的认可,为后续产业放量奠定了基础。
此外,澜起科技计划今年完成第三子代MRCD/MDB芯片的工程研发,以持续巩固技术领先地位。
全球有两家供应商能够提供DDR5第一子代MRCD/MDB芯片(支持速率8800MT/s),澜起科技是其中之一。澜起科技参与了MDB芯片国际标准(JEDEC)的制定工作。
据悉,DDR5第三子代MRCD/MDB芯片支持速率预计将达到16000MT/s, 相比第二子代MRCD/MDB芯片的12800MT/s提升25%。
此外,澜起科技还在布局其他新产品,比如PCIe Switch、以太网及光互连相关产品等。因此,随着相关新产品逐步进入规模商用阶段,以及公司产品组合的不断丰富,预计新产品将成为推动公司未来成长的重要引擎。

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